IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，以512K字乘16位组织。

它是使用高性能CMOS技术制造的。

这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可以生产出高性能和低功耗的设备。

当CS1为高（取消选择）或CS2为低（取消选择）或CS1为低时，当CS2为高并且LB和UB均为高时，设备将进入待机模式。

在此模式下，可以通过CMOS输入降低功耗水平。

使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。

激活的LOWWriteEnable（WE）控制内存的写入和读取。

数据字节允许高字节（UB）和低字节（LB）访问。

IS62WV51216EBLL封装在JEDEC标准的48引脚微型BGA（6mmx8mm），44引脚TSOP（II型）和48引脚TSOP（I型）中。

512Kx16低压超低功耗SRAM的主要特点?高速访问时间：45ns，55ns – 36mW（典型值）运行–1.65V–2.2VVDD（62 / 65WV51216EALL）–2.2V--3.6VVDD（62 / 65WV51216EBLL）?汽车温度（-40oC至+ 125oC）广泛的异步SRAM解决方案-提供x8，x16和x32配置-5V / 3.3V / 1.8VVDD电源-商业，工业和汽车温度（-40°C至+ 125oC） 125°C）支持-BGA，SOJ，SOP，sTSOP，提供TSOP软件包?ECC功能可用于高速异步SRAMfqj